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IXFB80N50Q2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
PLUS264 TM (IXFB) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
50
65
15
1610
300
29
25
60
11
250
80
120
0.13
0.13
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
80
320
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, V GS = 0V
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V
1.4
12
250
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2 %.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
7,005,734B2
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6771478 B2
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